
在全球供应链重构背景下,中国加快布局存储芯片自主研发,力图打破国外垄断,构建安全可控的存储产业链。尽管起步较晚,但近年来在政策支持、资本投入和人才集聚下取得显著进展。
长江存储(YMTC)成功研发出Xtacking架构,实现闪存单元与逻辑电路并行制造,大幅提升读写速度与生产效率。其64层、128层3D NAND产品已广泛应用于手机、SSD等领域,标志着中国在高端存储芯片领域迈入国际前列。
长鑫存储(CXMT)聚焦于DRAM研发,突破了19nm、17nm制程技术,推出面向服务器与消费电子的DDR4/DDR5内存产品。通过自主创新与国际合作,逐步缩小与韩国三星、海力士的技术差距。
国产存储芯片的发展离不开上游材料(如光刻胶、硅片)、设备(如刻蚀机、薄膜沉积设备)和下游封测环节的协同发展。国家集成电路基金(大基金)持续投入,推动全产业链国产化率提升,形成“设计—制造—封装—测试”一体化生态。
尽管成绩斐然,但中国存储芯片仍面临核心技术依赖、高端人才短缺、国际制裁压力等问题。为此,需加强基础研究投入,建立产学研用深度融合机制,并积极参与国际标准制定,提升全球话语权。
预计到2030年,中国有望建成覆盖存储芯片全链条的自主可控体系,实现从原材料到终端产品的完全国产化。届时,国产存储芯片将在智能手机、汽车电子、云计算等关键领域发挥核心作用,支撑数字经济高质量发展。
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